Kur bërthama e transformatorit është e vendosur mbi njëra-tjetrën, cilat janë metodat e qepjes? Kur bërthama e transformatorit është e vendosur mbi njëra-tjetrën, cilat janë qepjet

■ Koncepte të lidhura me bërthamën e hekurit

(1) Sipërfaqja gjeometrike e prerjes tërthore: i referohet sipërfaqes së prerjes tërthore të hapësirës së zënë nga bërthama e hekurit.

(2) Sipërfaqja efektive e prerjes tërthore: i referohet sipërfaqes aktuale të prerjes tërthore të fletës së çelikut silikon të përftuar duke zbritur nga sipërfaqja gjeometrike e prerjes tërthore hapësirën midis fletëve të çelikut silikon dhe sipërfaqes së zënë nga trashësia e filmit izolues të bojës.

(3) Koeficienti i petëzimit: i referohet raportit të sipërfaqes efektive të prerjes tërthore të bërthamës me sipërfaqen gjeometrike të prerjes tërthore. Faktori i petëzimit lidhet me trashësinë dhe rrafshësinë e fletës së çelikut silikon dhe trashësinë e shtresës izoluese midis fletëve. Për shembull, kur përdoret një fletë çeliku silikon me trashësi 0.35 mm, faktori i petëzimit është përgjithësisht midis 0.91-0.96.

(4) Koeficienti i mbushjes: i njohur edhe si koeficienti i shfrytëzimit, i referohet raportit të sipërfaqes së prerjes tërthore të kolonës së bërthamës së hekurit të përbërë nga forma e shkallës me sipërfaqen e rrethit të kolonës së bërthamës. Nën një diametër të caktuar, sa më e madhe të jetë sipërfaqja e prerjes tërthore të kolonës së bërthamës, domethënë, sa më i madh numri i hapave, aq më i madh është faktori i mbushjes. Megjithatë, sa më shumë hapa të ketë, aq më shumë specifikime të petëzimeve, gjë që e ndërlikon procesin e prodhimit të bërthamës.

■ Metoda e qepjes së fletës së çelikut silikoni

Kur bërthama e transformatorit është e vendosur njëra mbi tjetrën, ekzistojnë tre metodat e mëposhtme të qepjes për fletët e çelikut silikoni.

Qepje direkte - vetëm për fletë çeliku silikoni të petëzuar në të nxehtë

Siç tregohet në Figurën 1. Karakteristikat e tij janë se përpunimi dhe petëzimi janë relativisht të përshtatshëm, dhe zona e mbivendosjes është e madhe, kështu që bërthama e hekurit të petëzuar ka forcë të mirë strukturore, integritet të fortë dhe nuk është e lehtë të deformohet, por mund të përdoret vetëm për fletë çeliku silikoni të petëzuara në të nxehtë. Nëse përdoret për fletë çeliku silikoni të orientuara të petëzuara në të ftohtë me veti të mira magnetike përgjatë drejtimit të rrotullimit, meqenëse fluksi magnetik në shtresë nuk kalon përgjatë drejtimit të rrotullimit, vetitë magnetike do të përkeqësohen, duke rezultuar në një rritje të humbjes pa ngarkesë.

Lidhje gjysmë të drejta dhe gjysmë-këndore - për fletë çeliku silikoni të petëzuara në të ftohtë me orientim kokrrizor

siç tregohet në figurën 2. Përdoret për fletë çeliku silikoni të orientuar me kokrriza të petëzuara në të ftohtë. Karakteristika e këtij lloji të qepjes është se qepja direkte dhe qepja e prerjes shfaqen alternuar në petëzimin e bërthamës. Kur gjerësia e fletës së kolonës së bërthamës dhe fletës së zgjedhës së hekurit janë të njëjta, qepja e prerjes është 45°. 50% e qosheve, vetitë magnetike përmirësohen ndjeshëm krahasuar me qepjet direkte, struktura është e besueshme, prerja dhe grumbullimi janë gjithashtu të përshtatshëm, dhe shkalla e shfrytëzimit të fletëve të çelikut silikoni është e lartë. Megjithatë, për shkak se ende ekziston një pjesë e qepjes direkte, drejtimi i fletës së çelikut silikoni të orientuar me kokrriza të petëzuara në të ftohtë nuk shfrytëzohet plotësisht, kështu që humbja pa ngarkesë e bërthamës së hekurit nuk mund të minimizohet.

Shtresë e plotë këndore - për fletë çeliku silikoni të petëzuar në të ftohtë me orientim kokrrizash

Siç tregohet në Figurën 3. Për të zvogëluar më tej humbjen pa ngarkesë të bërthamës së hekurit dhe për të shfrytëzuar plotësisht karakteristikat e fletës së çelikut të silikonit të orientuar të petëzuar në të ftohtë, duhet të përdoren nyje të plota të pjerrëta, në mënyrë që drejtimi i fluksit magnetik të jetë në përputhje me drejtimin e rrotullimit të fletës së çelikut të silikonit dhe humbja e bërthamës të minimizohet. Megjithatë, ky lloj procesi i qepjes është i ndërlikuar dhe integriteti i bërthamës së hekurit të grumbulluar është i dobët.